MOS arayüzey yük yoğunluğu ölçümü ve özelliklerinin saptanması

Abstract

C-V yöntemiyle MOS kapasitör arayüzeyinde silisyum yasak enerji aralığı içinde yer alan arayüzey durumları niteliksel ve sayısal olarak saptanmaya çalışılmıştır. Bu arayüzey durumlarının enerji aralığındaki hangi enerji seviyelerinde yoğunlaştıklarını saptamak için yüzey potansiyeli basit bir deneysel yöntem kullanılarak elde edilmiştir. Ayrıca, yanlız C-V deneysel bulgularından Coksit kapasitansı da elde olunarak buradan oksit kalınlığı da ince bir duyarlıkla bulunmuştur. Ancak, bu çalışmada incelenen yöntem ile arayüzey durumlarının yasak enerji aralığı içindeki konumları, özellikle Formi seviyesi yakınlarında olanlarının sayısal olarak saptanmasına rağmen niteliklerinin anlaşılması mümkün olmamaktadır.

In this work I have investigated and tried to determine the interface states which are in the silicon forbidden gap by extracting the results of the C-V measurements. The surface potential or band bonding of the semi conductor is obtained to determine the most probable energy levels of those states. Therefore, a simplified experimental method is used to nolvo thin problem. Besides, C, the oxide capacitance is calculated with utmost sensibility by the high frequency C-V measurements, it was possible quantitatively to obtain the interface states especially nearby of the Fermi level but, it is impossible to interpret the chemical origins of the interface states by this experimental method.