Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/11452/12170
Title: | Low temperature solid-state synthesis and characterization of LaBo3 |
Other Titles: | Katı-hal yöntemi ile düşük sıcaklıklarda LaBo3 üretimi ve karakterizasyonu |
Authors: | Kıpçak, Azmi Seyhun |
Keywords: | Lanthanide Borates Lanthanum borates Solid-state XRD SEM Lantanit Boratlar Lantan boratlar Katı-hal |
Issue Date: | 21-Jan-2016 |
Publisher: | Uludağ Üniversitesi |
Citation: | Kıpçak, A. S. (2016). "Low temperature solid-state synthesis and characterization of LaBo3". Uludağ Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi, 21(2), 227-236. |
Abstract: | Rare earth (lanthanide series) borates, possess high vacuum ultraviolet (VUV) transparency, large electronic band gaps, chemical and environmental stability and exceptionally large optical damage thresholds. For this properties, they are used in the development of plasma display panels (PDPs). In this study the synthesis of lanthanum borates via solid-state method is studied. For this purpose, lanthanum oxide (La2O3) and boric acid (H3BO3) are used for as lanthanum and boron sources, respectively. Different elemental molar ratios of La to B (between 3:1 to 1:6 as La2O3:H3BO3) were reacted by solidstate method at the reaction temperatures between 500°C - 700°C with the constant reaction time of 4 h. Following the synthesis, characterizations of the synthesized products are conducted by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), Raman spectroscopy and scanning electron microscope (SEM). From the results of the experiments, three types of lanthanum borates of; La3BO6, LaBO3 and La(BO2)3 were observed at different reaction parameters. Among these three types of lanthanum borates LaBO3 phase were obtained as a major phase. Nadir toprak (Lantanit serisi) boratları, yüksek vakum ultraviyole şeffaflığına, büyük elektronik bant boşluğuna, kimyasal ve çevresel güvenilirliğe ve son derece geniş optik hasar eşiğine sahiptir. Bu özelliklerinden dolayı plazma ekran panellerinin geliştirilmesinde kullanılmaktadır. Bu çalışmada, katıhal yöntemi ile lantan borat üretimi çalışılmıştır. Bu amaçla, lantan oksit (La2O3) ve borik asit (H3BO3) sırası ile lantan ve bor kaynağı olarak kullanılmıştır. Farklı elementel La ve B oranları (La2O3:H3BO3 olarak 3:1 den 1:6 ya kadar) katı-hal yöntemi ile 500°C - 700°C reaksiyon sıcaklıklarında, 4 saat süre ile reaksiyona sokulmuşlardır. Sentez sonrası ürünlerin karakterizasyonu X-ışınları difraktometresi (XRD), Fourier dönüşümlü kızıl ötesi spektroskopisi (FT-IR), Raman spektroskopisi ve taramalı electron mikroskobu (SEM) teknikleri ile gerçekleştirilmiştir. Deney sonuçlardan görüldüğü üzere, La3BO6, LaBO3 ve La(BO2)3 yapısında üç farklı lantan borat bileşiği farklı parameterlerde saptanmıştır. Elde edilen farklı lantan borat bileşiklerinden LaBO3 bileşiği major faz olarak elde edilmiştir. |
URI: | https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/236558 http://hdl.handle.net/11452/12170 |
ISSN: | 2148-4147 2148-4155 |
Appears in Collections: | 2016 Cilt 21 Sayı 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
21_2_18.pdf | 1.13 MB | Adobe PDF | View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License