1. Açık Erişim@BUU

Browsing by Author Yılmaz, Ercan

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
or enter first few letters:  
Showing results 1 to 10 of 10
Issue DateTitleAuthor(s)
2018-11A comprehensive study on usage of Gd2O3 dielectric in MOS based radiation sensors considering frequency dependent radiation responseYılmaz, Ercan; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2020-12The effect and nature of the radiation induced oxide-interface traps on the performance of the Yb2O3 MOS deviceGürer, Umutcan; Yılmaz, Ercan; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2015-11Effects of post deposition annealing, interface states and series resistance on electrical characteristics of HfO2 MOS capacitorsYılmaz, Ercan; Kaya, Şenol; Aktağ, Aliekber; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2016-04Evaluation of radiation sensor aspects of Er2O3 MOS capacitors under zero gate biasYılmaz, Ercan; Aktağ, Aliekber; Kaya, Şenol; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2019-11-18Evaluation of the RadFET radiation sensor performance in 18 MV-external beamYeğen, Dinçer; Yılmaz, Ercan; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-9573-5805; 0000-0002-1836-7033; Morkoç, Berk; Kahraman, Ayşegül
2017-06-05Farklı B+ implantasyon koşulları için RadFET’lerin elektriksel karakterizasyonunun TCAD benzetim programı ile incelenmesiYılmaz, Ercan; Uludağ Üniversitesi/Fen Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; Kahraman, Ayşegül
2015-09-01Frequency dependent gamma-ray irradiation response of Sm2O3 MOS capacitorsKaya, Şenol; Yılmaz, Ercan; Karaçalı, Hüseyin; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül G.; AAH-6441-2021; 47161190600
2020-03-28Influence of frequency and gamma irradiation on the electrical characteristics of Er2O3, Gd2O3, Yb2O3, and HfO2 MOS-based devicesDeevi, Seetharama C.; Yılmaz, Ercan; Bursa Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; 47161190600
2017-10Irradiation response of radio-frequency sputtered Al/Gd2O3/p-Si MOS capacitorsYılmaz, Ercan; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyet Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
2017-10-10Proposal of alternative sensitive region for MOS based radiation sensors: Yb2O3Yılmaz, Ercan; Uludağ Üniversitesi/Fen-Edebiyat Fakültesi/Fizik Bölümü.; 0000-0002-1836-7033; Kahraman, Ayşegül; AAH-6441-2021; 47161190600
Showing results 1 to 10 of 10